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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
58
左右 -76% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.1
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
33
读取速度,GB/s
4,241.0
16.4
写入速度,GB/s
1,950.7
12.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
2988
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
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