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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
58
左右 -76% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
33
读取速度,GB/s
4,241.0
15.3
写入速度,GB/s
1,950.7
12.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3219
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
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