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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
58
左右 -53% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.2
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
38
读取速度,GB/s
4,241.0
13.8
写入速度,GB/s
1,950.7
10.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
2841
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
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