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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
21
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
58
左右 -241% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.6
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
17
读取速度,GB/s
4,241.0
21.0
写入速度,GB/s
1,950.7
15.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3481
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
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Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
AMD R748G2400U2S 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
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