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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
58
左右 -152% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.8
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
23
读取速度,GB/s
4,241.0
19.3
写入速度,GB/s
1,950.7
15.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3964
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
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