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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
58
左右 -53% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.3
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
38
读取速度,GB/s
4,241.0
16.2
写入速度,GB/s
1,950.7
13.3
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
2944
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9965662-012.A01G 16GB
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G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston KF552C40-16 16GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Kingston DDR3 1333G 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
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