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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
58
左右 -57% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.0
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
37
读取速度,GB/s
4,241.0
17.5
写入速度,GB/s
1,950.7
15.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3529
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
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