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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
58
左右 -49% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.6
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
39
读取速度,GB/s
4,241.0
17.5
写入速度,GB/s
1,950.7
10.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
2600
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
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G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
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Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
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