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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
58
左右 -23% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.3
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
47
读取速度,GB/s
4,241.0
14.2
写入速度,GB/s
1,950.7
12.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
2576
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
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