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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
54
58
左右 -7% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.2
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
6400
左右 3.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
54
读取速度,GB/s
4,241.0
10.4
写入速度,GB/s
1,950.7
8.2
内存带宽,mbps
6400
23400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
2259
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较
Corsair VS1GB800D2 1GB
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
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