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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
58
左右 -142% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.8
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
24
读取速度,GB/s
4,241.0
15.7
写入速度,GB/s
1,950.7
12.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
2865
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较
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Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
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Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
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