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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
58
左右 -132% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.3
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
25
读取速度,GB/s
4,241.0
14.8
写入速度,GB/s
1,950.7
9.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
2340
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
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