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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
58
左右 -76% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.9
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
33
读取速度,GB/s
4,241.0
15.8
写入速度,GB/s
1,950.7
11.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
2824
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
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