Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R7416G2133U2S 16GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs AMD R7416G2133U2S 16GB

总分
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

总分
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AMD R7416G2133U2S 16GB

AMD R7416G2133U2S 16GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    46 left arrow 78
    左右 41% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    2 left arrow 13.5
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    6.7 left arrow 1,519.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    17000 left arrow 3200
    左右 5.31 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R7416G2133U2S 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    46 left arrow 78
  • 读取速度,GB/s
    2,909.8 left arrow 13.5
  • 写入速度,GB/s
    1,519.2 left arrow 6.7
  • 内存带宽,mbps
    3200 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • 时序/时钟速度
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    241 left arrow 1594
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RAM 1
RAM 2

最新比较