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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
46
左右 -64% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.4
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
3200
左右 7.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
28
读取速度,GB/s
2,909.8
18.6
写入速度,GB/s
1,519.2
14.4
内存带宽,mbps
3200
23400
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3491
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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