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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
46
左右 -109% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.3
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
22
读取速度,GB/s
2,909.8
16.8
写入速度,GB/s
1,519.2
12.3
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3036
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
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Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
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