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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston 9905702-012.A00G 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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需要考虑的原因
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
46
左右 -39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.6
2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.4
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
3200
左右 6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
33
读取速度,GB/s
2,909.8
9.6
写入速度,GB/s
1,519.2
6.4
内存带宽,mbps
3200
19200
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
1620
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
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Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
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