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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston XF875V-MIH 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Kingston XF875V-MIH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
12.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston XF875V-MIH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
77
左右 -126% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
34
读取速度,GB/s
3,405.2
14.8
写入速度,GB/s
2,622.0
12.7
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2785
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
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