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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
46
左右 -44% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.9
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
3200
左右 6.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
32
读取速度,GB/s
2,909.8
15.9
写入速度,GB/s
1,519.2
7.9
内存带宽,mbps
3200
21300
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2322
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
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Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
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