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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
60
左右 -82% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
33
读取速度,GB/s
4,595.2
14.5
写入速度,GB/s
2,168.2
12.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
3091
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
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Kingston 9905664-010.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
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Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
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