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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
11.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
60
左右 -94% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
31
读取速度,GB/s
4,595.2
14.7
写入速度,GB/s
2,168.2
11.0
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
2658
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
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Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB RAM的比较
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
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