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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
60
左右 -88% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
32
读取速度,GB/s
4,595.2
14.0
写入速度,GB/s
2,168.2
11.3
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
2660
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
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