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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
60
左右 -94% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
31
读取速度,GB/s
4,595.2
15.3
写入速度,GB/s
2,168.2
12.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
3126
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
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