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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
13.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
60
左右 -107% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
29
读取速度,GB/s
4,595.2
16.8
写入速度,GB/s
2,168.2
13.3
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
3451
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4D1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
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