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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston 9905701-020.A00G 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
10.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
60
左右 -82% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
33
读取速度,GB/s
4,595.2
14.9
写入速度,GB/s
2,168.2
10.7
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
2922
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
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Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
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