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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
60
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
8.7
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.0
2,168.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
38
读取速度,GB/s
4,595.2
8.7
写入速度,GB/s
2,168.2
7.0
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
1999
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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