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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
12.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
60
左右 -58% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
38
读取速度,GB/s
4,595.2
15.4
写入速度,GB/s
2,168.2
12.6
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
3147
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
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Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB RAM的比较
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
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