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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
11.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
60
左右 -67% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
36
读取速度,GB/s
4,595.2
15.3
写入速度,GB/s
2,168.2
11.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
2696
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
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SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
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Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
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