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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB

总分
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

总分
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V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB

V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB 需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 18.3
    测试中的平均数值
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB 需要考虑的原因
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    58 left arrow 60
    左右 -3% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.9 left arrow 2,168.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 5300
    左右 3.62 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    60 left arrow 58
  • 读取速度，GB/s
    4,595.2 left arrow 18.3
  • 写入速度，GB/s
    2,168.2 left arrow 8.9
  • 内存带宽，mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    941 left arrow 2181

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较

Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
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内存RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
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内存RAM
Kingston K531R8-MIN 4GB
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Kingston 9905624-023.A00G 8GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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