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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,784.6
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
65
左右 -41% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
46
读取速度,GB/s
4,806.8
15.9
写入速度,GB/s
2,784.6
12.8
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
2936
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
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Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
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