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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,784.6
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
65
左右 -63% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
40
读取速度,GB/s
4,806.8
14.8
写入速度,GB/s
2,784.6
11.2
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
2709
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
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