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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
比较
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
总分
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
总分
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
65
71
左右 8% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
4.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
71
读取速度,GB/s
6.1
16.2
写入速度,GB/s
4.2
8.1
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
985
1979
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
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