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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
77
左右 -285% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
20
读取速度,GB/s
3,405.2
19.2
写入速度,GB/s
2,622.0
14.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3326
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
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