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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
77
左右 -103% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
38
读取速度,GB/s
3,405.2
14.2
写入速度,GB/s
2,622.0
10.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2807
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
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