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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
77
左右 -114% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
36
读取速度,GB/s
3,405.2
15.7
写入速度,GB/s
2,622.0
12.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3035
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
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