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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
77
左右 -108% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
37
读取速度,GB/s
3,405.2
15.4
写入速度,GB/s
2,622.0
12.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3088
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kllisre 0000 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
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