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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
77
左右 -267% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
21
读取速度,GB/s
3,405.2
19.7
写入速度,GB/s
2,622.0
15.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3594
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB RAM的比较
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
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