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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
77
左右 -285% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
20
读取速度,GB/s
3,405.2
18.7
写入速度,GB/s
2,622.0
13.4
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3287
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
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