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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
77
左右 -157% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
30
读取速度,GB/s
3,405.2
15.0
写入速度,GB/s
2,622.0
12.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2875
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
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