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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
77
左右 -166% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
29
读取速度,GB/s
3,405.2
17.4
写入速度,GB/s
2,622.0
14.2
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3398
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-152.A00G 16GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
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