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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
77
左右 -175% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
28
读取速度,GB/s
3,405.2
18.5
写入速度,GB/s
2,622.0
14.4
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3402
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
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