RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
77
Rund um -175% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
14.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3402
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link