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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
12.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
77
左右 -141% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
32
读取速度,GB/s
3,405.2
16.5
写入速度,GB/s
2,622.0
12.2
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2974
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965669-005.A01G 16GB
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Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
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