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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
15.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
56
77
左右 -38% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
56
读取速度,GB/s
3,405.2
16.5
写入速度,GB/s
2,622.0
15.0
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2795
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905711-038.A00G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
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