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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
69
77
左右 -12% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.5
2,622.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
69
读取速度,GB/s
3,405.2
13.6
写入速度,GB/s
2,622.0
6.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
1598
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB RAM的比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
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V-GEN D4H8GS24A8 8GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M471B5773EB0-CK0 2GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
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