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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
77
左右 -166% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
29
读取速度,GB/s
3,405.2
19.4
写入速度,GB/s
2,622.0
15.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3614
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-025.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
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