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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
77
左右 -185% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
27
读取速度,GB/s
3,405.2
19.1
写入速度,GB/s
2,622.0
14.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3040
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
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