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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
22.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
18.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
77
左右 -185% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
27
读取速度,GB/s
3,405.2
22.7
写入速度,GB/s
2,622.0
18.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
4177
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
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