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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
22.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
18.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
77
Intorno -185% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
27
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
22.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
18.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
4177
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Corsair CMX8GX3M4A1333C9 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
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