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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9905663-008.A00G 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
77
左右 -120% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
35
读取速度,GB/s
3,405.2
14.7
写入速度,GB/s
2,622.0
11.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2815
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB RAM的比较
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
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